JESD22-A108 IC可靠度壽命試驗(yàn)介紹

                                             JESD22-A108 IC可靠度壽命試驗(yàn)介紹
設(shè)定在靜態(tài)或脈沖正向偏壓模式。脈沖模式用來(lái)驗(yàn)證器件在Z大額定電流附近承受的應(yīng)力。特定的偏置條件應(yīng)由器件內(nèi)固體結(jié)的Z大數(shù)量來(lái)決定。
(2)HTLO/LTOL(高溫工作壽命試驗(yàn)/低溫工作壽命試驗(yàn))
HTOL一般用在邏輯或存儲(chǔ)器件；LTOL一般用來(lái)尋找熱載流子引起的失效，或用來(lái)試驗(yàn)存儲(chǔ)器件或亞微米尺寸的器件。
器件工作在動(dòng)態(tài)工作模式。
一般，一些輸入?yún)?shù)也許被用來(lái)調(diào)整控制內(nèi)部功耗，例如電源電壓、時(shí)鐘頻率、輸入信號(hào)等，這些參數(shù)也許工作在特定值之外，但在應(yīng)力下會(huì)產(chǎn)生可預(yù)見(jiàn)的和非破壞性的行為。
特定的偏置條件應(yīng)由器件內(nèi)潛在的Z大數(shù)量的工作節(jié)點(diǎn)確定。
(3)HTRB(高溫反向偏置試驗(yàn))
HTRB用來(lái)試驗(yàn)功率器件。
器件一般工作在靜態(tài)測(cè)試模式，試驗(yàn)在Z大額定擊穿電壓和/或電流附件器件承受的應(yīng)力。
(4)HTGB(高溫們偏置試驗(yàn))
HTGB一般用在功率器件試驗(yàn)。
器件一般工作在靜態(tài)模式，試驗(yàn)在Z大額定氧化物擊穿電壓附件器件承受的應(yīng)力。
4.冷卻
在移除偏置前，高溫應(yīng)力下的器件應(yīng)冷卻到55℃以下。
為了移動(dòng)器件到與壽命測(cè)試的試驗(yàn)室分離的冷卻位置上而中斷偏置長(zhǎng)達(dá)一分鐘的情況不應(yīng)視為移除偏置。
所有制定的電子測(cè)量應(yīng)在所有器件重加熱錢完成。
**偏置是指加載到電源引腳上的電壓。